Investigador explica el origen de la luminiscencia azul al impurificar GaN con Mg

El Dr. Carlos Alberto Hernández Gutiérrez, docente del TecNM campus Tuxtla Gutiérrez, en colaboración con el CINVESTAV-IPN, UNAM y la universidad de Texas en Dallas, explica la luminiscencia azul emergente al impurificar la fase cúbica de GaN con átomos de Magnesio (Mg).

El GaN (Gallium Nitride o Nitruro de Galio) es un material similar al cristal capaz de conducir voltajes mucho más altos que el silicio, con importantes aplicaciones tecnológicas para la construcción de dispositivos emisores de luz y fotodetectores en la región azul y ultravioleta, así como dispositivos de alta potencia.

Este material se lleva usando muchos años en la fabricación de luces LEDs, bombillas blancas, luces azules para los Blu-Ray o pantallas LED a color que se pueden ver a plena luz del día. También es un material muy usado en las baterías solares de los satélites.

Con el paso del tiempo se han encontrado más ventajas en usar el GaN, sobre otros materiales como el silicio, también muy usado en el mundo de la electrónica. En comparación, el GaN tiene mejor resistencia a la transferencia electrónica y soporta mejor el calor. Gracias a esto se ha observado que aguanta mejor las corrientes eléctricas de mayor voltaje y velocidad, esto permite crear cargadores más pequeños sin que se vea afectada la seguridad y la capacidad de carga.

La investigación en la que trabaja Hernández Gutiérrez determina el límite de saturación de átomos de Mg para evitar la degradación de las propiedades ópticas y eléctricas del material.Es decir, demostró consistentemente que se puede suprimir la emisión azul debida a la impurificación con Mg sin sacrificar la conductividad eléctrica del material. Lo que permite desarrollar mejores dispositivos optoelectrónicos basados en GaN.