{"id":9947,"date":"2021-01-19T09:30:00","date_gmt":"2021-01-19T14:30:00","guid":{"rendered":"https:\/\/www.tuxtla.tecnm.mx\/?p=9947"},"modified":"2022-01-05T13:35:51","modified_gmt":"2022-01-05T18:35:51","slug":"academico-del-tec-de-tuxtla-publica-en-revista-internacional-de-impacto","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.tuxtla.tecnm.mx\/dcab\/academico-del-tec-de-tuxtla-publica-en-revista-internacional-de-impacto\/","title":{"rendered":"Acad\u00e9mico del Tec de Tuxtla publica en revista Internacional de Impacto"},"content":{"rendered":"\n
\"\"<\/figure><\/div>\n\n\n\n

Carlos Alberto Hern\u00e1ndez Guti\u00e9rrez<\/strong>, docente del TecNM campus Tuxtla\nGuti\u00e9rrez, ha sido publicado en Scientific\nReports<\/strong> de Nature<\/strong>, una revista\ninternacional semanal que publica las mejores\ninvestigaciones revisadas por pares en el campo de la Ciencia y la Tecnolog\u00eda.<\/strong><\/p>\n\n\n\n\n\n\n\n

Nature selecciona los art\u00edculos a ser publicados en base a su\noriginalidad, importancia, inter\u00e9s interdisciplinario, actualidad,\naccesibilidad y conclusiones.<\/p>\n\n\n\n

La investigaci\u00f3n publicada del Dr.\nHern\u00e1ndez Guti\u00e9rrez<\/strong> consiste en el \u201cestudio de GaN (Nitruro de Galio) en la\nfase c\u00fabica altamente impurificado con Mg (Magnesio) para aplicaciones en\ndispositivos bipolares\u201d.<\/em><\/strong><\/p>\n\n\n\n

La investigaci\u00f3n publicada demuestra\nte\u00f3rica y experimentalmente<\/strong> que la fase analizada es m\u00e1s adecuada para\ngenerar una alta concentraci\u00f3n de\n\u201chuecos\u201d.<\/strong> Esto es sumamente importante para desarrollar dispositivos semiconductores m\u00e1s eficientes,<\/strong> tales como\ndiodos y transistores basados en GaN. <\/p>\n\n\n\n

\u201cLa publicaci\u00f3n de esta investigaci\u00f3n, por\nsu contenido es de gran transcendencia en la investigaci\u00f3n, ya que ha sido\nrevisada y aceptada en una revista de mucho prestigio a nivel internacional\u201d<\/em> comparti\u00f3 Hern\u00e1ndez Guti\u00e9rrez.<\/strong><\/p>\n\n\n\n

Y es que adoptar el uso del GaN para la electr\u00f3nica de iluminaci\u00f3n y\nenerg\u00eda podr\u00eda reducir el consumo\nmundial de energ\u00eda en un 25%<\/strong>, ya que ofrece importantes ventajas como una mayor resistencia a la transferencia\nelectr\u00f3nica y al calor.<\/strong><\/p>\n\n\n\n

Es por ello que actualmente, la Universidad de Cambridge y el Instituto\nTecnol\u00f3gico de Massachusetts (MIT) han creado grupos de investigaci\u00f3n para\nexplorar sus aplicaciones electr\u00f3nicas.<\/p>\n\n\n\n

As\u00ed mismo, grandes marcas de accesorios ya han\ncomenzado a plantearse la elaboraci\u00f3n de cargadores de Nitruro de Galio (GaN),\nsiendo Anker, el primer fabricante en lanzar al mercado un cargador de GaN, consciente\nde que este semiconductor ser\u00e1 un material\nclave para la pr\u00f3xima generaci\u00f3n de transistores de alta frecuencia y alta\npotencia, capaces de funcionar a altas temperaturas<\/strong>. <\/p>\n\n\n\n

Encuentra el art\u00edculo publicado del Dr. Carlos Hern\u00e1ndez, AQU\u00cd.<\/a><\/strong><\/p>\n\n\n\n

Conoce m\u00e1s sobre Nature Journal AQU\u00cd.<\/a><\/strong><\/p>\n\n\n\n


\u00abCiencia y Tecnolog\u00eda con Sentido Humano\u00bb<\/strong><\/em>
Departamento de Comunicaci\u00f3n y Difusi\u00f3n
TecNM campus Tuxtla Guti\u00e9rrez <\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

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